结构式
| 物竞编号 | 010T |
|---|---|
| 分子式 | ThSi2 |
| 分子量 | 288.21 |
| 标签 | 钪族元素 |
编号系统
CAS号：12067-54-8
MDL号：暂无
EINECS号：235-079-2
RTECS号：暂无
BRN号：暂无
PubChem号：暂无
物性数据
1.性状：黑色四方晶体。
2.密度（g/cm3）：7.96 。
3.溶解度：能溶于热盐酸，略溶于硫酸。
毒理学数据
暂无
生态学数据
暂无
分子结构数据
暂无
计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:0
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量:无
6.拓扑分子极性表面积0
7.重原子数量:3
8.表面电荷:0
9.复杂度:18.3
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:1
性质与稳定性
暂无
贮存方法
暂无
合成方法
用Si还原ThO2可得到ThSi2。
以适当的比例(ThO2与4Si质量比为14.8g∶22.47g)称取待反应的样品，用苯润湿，在一机械动力驱动的玛瑙研钵中充分混合。此操作十分重要，否则很难维持一个稳定的反应区域。在一特殊的(可拆卸的)塑模中使用20t的水压将样品压制成两个（5×5×90）mm3的棒，然后使这两个棒分开，在中心处用线连接固定起来，以避免在安装或测定操作中发生扭曲。
两棒的接触点置于阴极系统内，开启加速电压，一般为3～5kV(具体值要由试验确定)。增大阴极电流至样品棒的上半部顶端比下半部稍热，当电流进一步增大时，反应开始。随着阴极电流的进一步增大，样品棒形成一窄的熔融区，生成的气态一氧化硅因冷凝而不会影响系统的真空度。用机械装置来控制反应区的加热，用电子控制器控制电流的稳定性，以建立稳定的反应区，此过程将所给的氧化物转化为与硅的合金。确定硅合金的组成后，将合金与所需量的硅(市场上可买到的纯硅)混合得到所要求的金属与硅的比例。当加入适当过量的硅则可以得到很接近于所要求的组成，事实上，还原最好在有相当过量硅存在的情况下进行，所得产品就是硅化物和单质硅的混合物，后者可通过溶解在稀的煮沸的氢氧化钠溶液中而被除去。
用途
暂无
安全信息
危险运输编码：暂无
危险品标志：暂无
安全标识：暂无
危险标识：暂无
文献
None
备注
None
表征图谱
暂无图谱
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