四氟化碳 Carbon tetrafluoride

编号系统

CAS号：75-73-0

MDL号：MFCD00000371

EINECS号：200-896-5

RTECS号：FG4920000

BRN号：暂无

PubChem号：24857807

物性数据

1.性状：无色无味气体^[1]

2.熔点（℃）：-183.6^[2]

3.沸点（℃）：-127.8^[3]

4.相对密度（水=1）：1.96（-184℃）^[4]

5.相对蒸气密度（空气=1）：3.04^[5]

6.饱和蒸气压（kPa）：13.33（-150.7℃）^[6]

7.临界温度（℃）：-45.5^[7]

8.临界压力（MPa）：3.74^[8]

9.辛醇/水分配系数：1.18^[9]

10.溶解性：不溶于水，溶于苯和氯仿。^[10]

11.临界密度（g·cm^-3）：0.626

12.临界体积（cm³·mol^-1）：141

13.临界压缩因子：0.279

14.van der Waals面积（cm²·mol^-1）：4.600×10⁹

15.van der Waals体积（cm³·mol^-1）：27.330

16.Lennard-Jones参数（A）：4.5306

17.Lennard-Jones参数（K）：158.90

18.气相标准声称热(焓)( kJ·mol^-1) ：-933.5

19.气相标准熵(J·mol^-1·K^-1) ：261.40

20.气相标准生成自由能( kJ·mol^-1)：-888.8

21.气相标准热熔(J·mol^-1·K^-1)：61.05

毒理学数据

1.急性毒性  暂无资料

2.刺激性  暂无资料

3.其他^[11]  LCLo：895000ppm（大鼠吸入，15min）

生态学数据

1.生态毒性  暂无资料

2.生物降解性  暂无资料

3.非生物降解性  暂无资料

4.其他有害作用^[12]  温室气体，其造成温室效应的作用是二氧化碳的数千倍。氟代烃的低层大气中比较稳定，而在上层大气中可被能量更大的紫外线分解。

分子结构数据

1、摩尔折射率：7.3

2、摩尔体积（cm³/mol）：66.8

3、等张比容（90.2K）：105.0

4、表面张力（dyne/cm）：6.0

5、介电常数：无可用

6、偶极距（10^-24cm³）：无可用

7、极化率：2.89

计算化学数据

1.疏水参数计算参考值（XlogP）:1.8

2.氢键供体数量:0

3.氢键受体数量:4

4.可旋转化学键数量:0

5.互变异构体数量:无

6.拓扑分子极性表面积0

7.重原子数量:5

8.表面电荷:0

9.复杂度:19.1

10.同位素原子数量:0

11.确定原子立构中心数量:0

12.不确定原子立构中心数量:0

13.确定化学键立构中心数量:0

14.不确定化学键立构中心数量:0

15.共价键单元数量:1

性质与稳定性

常温常压下稳定，避免强氧化剂、易燃或可燃物。不燃气体，遇高热后容器内压增大，有开裂、爆炸危险。化学性质稳定，不燃。常温下只有液氨-金属钠试剂能发生作用。

贮存方法

储存注意事项^[13] 储存于阴凉、通风的不燃气体专用库房。远离火种、热源。库温不宜超过30℃。应与易（可）燃物、氧化剂分开存放，切忌混储。储区应备有泄漏应急处理设备。

合成方法

1.由碳与氟反应，或一氧化碳与氟反应，或碳化硅与氟反应，或氟石与石油焦在电炉里反应，或二氟二氯甲烷与氟化氢反应，或四氯化碳与氟化银反应，或四氯化碳与氟化氢反应，都能生成四氟化碳。四氯化碳与氟化氢的反应在填有氢氧化铬的高温镍管中进行，反应后的气体经水洗、碱洗除去酸性气体，再通过冷冻，用硅胶除去气体中的水分，最后经精馏而得成品。

2.预先称取5～10g的碳化硅粉末和0.1g的单质硅粉，置于镍盘中，使硅和碳化硅充分接触后，将镍盘放入蒙乃尔合金反应管中，向反应管内通入氟气，氟气先和单质硅反应，反应放热后，氟开始和碳化硅进行反应，通入等体积的干燥氮气以稀释氟气，使反应继续进行，生成气体通过液氮冷却的镍制捕集器冷凝，然后慢慢地气化后，将其通过装有氢氧化钠溶液的洗气瓶除去四氟化硅，随后通过硅胶和五氧化二磷干燥塔得到最终产品。

3.以活性炭与氟为原料经氟化反应制备。在装有活性炭的反应炉中，缓缓通入高浓氟气，并通过加热器加热、供氟速率和反应炉冷却控制反应温度。产品经除尘，碱洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等杂质、再经脱水可获得含量约为85%的粗品。将粗品引入低温精馏釜中进行间歇粗馏，通过控制精馏温度，除去O2、N2、H2，得到高纯CF4。

用途

1.用于各种集成电路的等离子刻蚀工艺，也用作激光气体，用于低温制冷剂、溶剂、润滑剂、绝缘材料、红外检波管的冷却剂。

2.是目前微电子工业中用量最大的等离子蚀刻气体，四氟甲烷高纯气及四氟甲烷高纯气、高纯氧的混合气，可广泛应用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及钨等薄膜材料的蚀刻，在电子器件表面清洗、太阳能电池生产、激光技术、低温制冷、泄漏检验、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。

3.用作低温制冷剂及集成电路的等离子干法蚀刻技术。^[14]

安全信息

危险运输编码：UN 1982 2.2

危险品标志：暂无

安全标识：暂无

危险标识：暂无

文献

[1~14]参考书：危险化学品安全技术全书.第一卷/张海峰主编.—2版.北京；化学工业出版社，2007.6 ISBN 978-7-122-00165-8

备注

暂无

表征图谱